收藏本站
New Product
Si9407BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
0.1
0.1
P DM
t 1
t 2
0.01
0.05
0.02
Single P u lse
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 75 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?69902 .
www.vishay.com
6
Document Number: 69902
S09-0704-Rev. B, 27-Apr-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI9433BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI9933CDY-T1-E3 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
SIA406DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 12V SC-70-6
SIA421DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
SIA432DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
SIA443DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
SIA448DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V D-S SC70-6L
SIA461DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A SC706L
相关代理商/技术参数
SI9407BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9407BDY-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 4.7A SOIC
SI9407DY 制造商:SILX 功能描述:
SI9410BDY 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8
SI9410BDY_05 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9410BDY-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:NP
SI9410BDY-T1 功能描述:MOSFET 30V 8.1A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9410BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 8.1A 0.024Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube